업계 최고 수준의 저손실 실현

로옴 주식회사(ROHM, 본사: 교토)는 차량용 전동 컴프레서와 HV 히터, 산업 기기용 인버터 등에 최적인 650V 내압 제4세대 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)를 개발했다고 밝혔다.

본 제품은 차량용 650V 클래스 IGBT로서 업계 최고 수준의 낮은 도통손실 VCE(sat) = 1.55V를 실현했으며, 동시에 높은 단락 내량을 확보해 자동차기기 신뢰성 규격인 AEC-Q101을 만족한다.

신제품은 프로세스 및 외부 구조를 포함한 디바이스 구조를 개선해 전류 밀도를 향상시키는 동시에, 도통손실과 스위칭 손실을 저감했다. 또한 저손실화와 상충 관계에 있는 높은 단락 내량(Tj = 25℃ 기준 7μs)을 확보해 애플리케이션의 고효율화와 신뢰성 향상에 기여한다.

라인업은 TO-247N 패키지 「RGAxxTS65HR / RGA xxTS65EHR」 12종과 베어칩 「SG83xxWN」 10종으로 구성된다. 또한 TO-247-4L 패키지 「RGAxxTR65 HR / RGAxxTR65EHR」 12종도 개발을 진행 중이다.

본 제품은 2026년 5월부터 월 100만 개 생산 체제로 양산을 시작했으며, 샘플 가격은 개당 1,300엔(세금 별도)이다. TO-247N 패키지 제품은 온라인 판매에도 대응하며, Arrow.com 및 CoreStaff Online 등 온라인 부품 유통 사이트를 통해 구매할 수 있다. 또한 각종 설계 모델과 회로 설계에 필요한 자료를 로옴 공식 웹사이트(https://www.rohm.co.kr)에서 제공한다.

로옴은 앞으로 TO-247N 패키지 제품군을 더욱 확대하는 한편, TO-263L 패키지 및 상면 방열(TSC, Top-Side Cooling) 패키지를 적용한 표면실장형 소형 IGBT 제품 개발도 추진할 계획이다. 고성능 IGBT 제품 라인업을 지속적으로 확충해 자동차 및 산업 기기 애플리케이션의 고효율 구동과 소형화에 기여해 나갈 방침이다.